美光拟10年投资150亿美元 在美国新建内存芯片工厂

更新时间:2022-09-02 10:09:13作者:未知

美光拟10年投资150亿美元 在美国新建内存芯片工厂

9月2日消息,美国当地时间周四,美光宣布将在未来10年投资约150亿美元,在爱达荷州博伊西新建一家内存芯片制造工厂。

美光表示,这将是20年来在美国本土新建的首家内存芯片制造厂,也是爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。该公司预计,这项投资计划将在2030年前总共创造1.7万个就业机会,其中该公司将直接创造2000个岗位。

美光在新闻稿中称,这项投资确保了DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存的美国国产化。此前,这类芯片大部分产自亚洲。新设施生产的内存将用于汽车、数据中心、人工智能(AI)和5G等领域。

这项投资决定是在美国总统乔·拜登(Joe Biden)签署《芯片法案》之后做出的,美光称爱达荷州提供的激励措施也发挥了重要作用。

美光首席执行官桑贾伊·梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)表示:“我们新的尖端内存芯片制造工厂将推动美国争取技术领先地位,确保可靠的国内半导体供应,这对经济和国家安全至关重要。”

拜登总统在声明中说:“美光此举代表着美国的又一大胜利,我们将在美国制造电动汽车、芯片、光纤和其他关键部件。”

美光没有提供新工厂产能或将生产的芯片类型等细节。此次扩张正值美光因需求疲软而下调其第四季度营收预期之际,其竞争对手同行希捷也大幅下调了第一财季的预期。

市场研究机构Summit Insights Group分析师Kinngai Chan表示:“美光正在按照美国政府希望的方式行事,那就是在美国建造制造工厂。”

美光计划在2030年前投资400亿美元,分多个阶段在美国建设制造设施,以支持其在美国弗吉尼亚州、日本、新加坡等地的工厂。这项计划估计总共可创造4万个就业机会。(小小)

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